Как выяснили ученые, при введении наночастиц арсенида марганца (MnAs) такаяструктура, помещенная в магнитное поле, может эффективно накапливать энергию.
«Проявление подобного эффекта не стало для нас неожиданностью, однако по амплитуде выдаваемое устройством напряжение превысило прогнозы более чем в 100 раз, а длительность разряда исчислялась минутами, а не миллисекундами, — говорит Стюарт Барнс (Stewart E. Barnes) из Университета Майами. — Поначалу результаты казались парадоксальными, и именно это помогло нам разобраться, в чем же тут дело».
Напомним, что при помещении магнитных туннельных переходов впостоянное магнитное поле возникает ЭДС, появление которой можнообъяснить перемещением магнитных доменов. В экспериментах возникновению ЭДС (по сути — преобразованию магнитной энергии в электрическую) способствовал туннельный эффект, характерный для суперпарамагнитных наночастиц MnAs. Генерируемый в ходе процесса ток (его принято называть«поляризованным по спину») находит применение в относительно новойобласти электроники — спинтронике (возможные способы использования такого тока описаны в докладе А.В. Ведяева, опубликованном в журнале «Успехи физических наук»).
По словам исследователей, разработанное ими устройство может послужить основой для автомобильных аккумуляторов нового типа. Кроме того, магнитные туннельные переходы планируется использовать при производстве жестких дисков следующего поколения, более быстрых, дешевых и экономичных.